BSP613P
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSP613P |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-SOT223-4-21 |
Serie | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.9A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.8W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-261-4, TO-261AA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.9A (Ta) |
BSP613P Einzelheiten PDF [English] | BSP613P PDF - EN.pdf |
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2024/03/21
BSP613PInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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